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一次性可编程记忆体装置包括场效晶体管及反熔丝结构。反熔丝结构的第一节点包括或电连接至场效晶体管的漏极区域。反熔丝结构包括反熔丝介电层及反熔丝介电层上或上方的第二节点。第一节点及第二节点中的一者包括漏极区域或形成于通孔腔内的金属通孔结构,此通孔腔延伸穿过覆盖场效晶体管的层间介电材料层。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113270412 A
(43)申请公布日 2021.08.17
(21)申请号 202110184439.4
(22)申请日 2021.02.08
(30)优先权数据
16/901,03
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