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- 2023-06-17 发布于四川
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本发明的实施方式的存储装置包含：衬底上方的位线；第1晶体管，包含所述衬底与所述位线中间的第1半导体层、以及隔着第1栅极绝缘层与所述第1半导体层的侧面对向的第1栅极电极；所述第1晶体管与所述衬底中间的第1存储器元件；连接于所述第1栅极电极的第1字线；第2晶体管，包含所述衬底与所述位线中间的第2半导体层、以及隔着第2栅极绝缘层与所述第2半导体层的侧面对向的第2栅极电极；所述第2晶体管与所述衬底中间的第2存储器元件；及第2字线，在相对于所述衬底的表面平行的方向上与所述第1字线相邻，且连接于所述第2栅极
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114503250 A
(43)申请公布日 2022.05.13
(21)申请号 202080069825.2 (74)专利代理机构 北京律盟知识产权代理有限
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