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本申请提供一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的外延层，覆盖衬底；第二导电类型的阱区，形成于外延层的表面上，阱区内形成有包括第一导电类型的第一掺杂区的源区，阱区的表面上形成有第二导电类型的第二掺杂区，且第二掺杂区覆盖第一掺杂区；多个沟槽，穿过第二掺杂区、源区和阱区，并与外延层接触，沟槽的表面形成有栅介质层，沟槽内填充有由栅导电材料形成的栅极；第一电极层，填充沟槽并与第二掺杂区和第一掺杂区接触；隔离介质层，用于隔离第一电极层与栅极。本申请提供的半导体器件可以
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113257897 B
(45)授权公告日 2021.09.21
(21)申请号 202110645872.3 H01L 29/78 (2006.01)
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