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本发明提供一种微透镜阵列的制作方法和一种图像传感器的制作方法。所述微透镜阵列的制作方法包括：提供表面上形成有第一介质层的半导体基底；在第一介质层上形成阵列分布的多个掩模单元；以掩模单元为掩模，刻蚀第一介质层直至露出半导体基底表面，形成多个凸块，并去除掩模单元，其中，凸块通过间断性地执行两次以上的干法刻蚀工艺刻蚀第一介质层获得，在间断期间内，进行掩模图形重塑，以缩小各个掩模单元的覆盖面；以及在半导体基底上形成第二介质层，获得微透镜阵列。利用该微透镜阵列的制作方法，可以灵活调整微透镜侧面与基底表面之
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113257665 A
(43)申请公布日 2021.08.13
(21)申请号 202110524317.5
(22)申请日 2021.05.13
(66)本国优先权数
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