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本申请涉及半导体存储器装置和制造该半导体存储器装置的方法。该半导体存储器装置包括：栅极叠层，其包括在第一方向上交替地层叠的层间绝缘层和字线；沟道柱，其穿过栅极叠层并且朝向第一方向逐渐变窄；源极选择线，其围绕沟道柱并且延伸以与栅极叠层交叠；以及源极隔离绝缘层，其在源极选择线之间与栅极叠层交叠，并且朝向与第一方向相反的方向逐渐变窄。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114171531 A
(43)申请公布日 2022.03.11
(21)申请号 202110023270.4
(22)申请日 2021.01.08
(30)优先权数据
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