半导体存储器装置和制造该半导体存储器装置的方法.pdfVIP

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2023-06-17 发布于四川
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半导体存储器装置和制造该半导体存储器装置的方法.pdf

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本申请涉及半导体存储器装置和制造该半导体存储器装置的方法。该半导体存储器装置包括：栅极叠层，其包括在第一方向上交替地层叠的层间绝缘层和字线；沟道柱，其穿过栅极叠层并且朝向第一方向逐渐变窄；源极选择线，其围绕沟道柱并且延伸以与栅极叠层交叠；以及源极隔离绝缘层，其在源极选择线之间与栅极叠层交叠，并且朝向与第一方向相反的方向逐渐变窄。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114171531 A (43)申请公布日 2022.03.11 (21)申请号 202110023270.4 (22)申请日 2021.01.08 (30)优先权数据