原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明揭示了一种沟槽功率器件及制作方法。本发明提供的一种沟槽功率器件及制作方法，通过在半导体衬底中形成第一沟槽，并将第一阻止层、填充材料层设置于所述第一沟槽中，形成静电隔离结构，进而实现了静电隔离结构设置在半导体衬底中，避免了静电隔离结构高于第二沟槽、第三沟槽的情况，使得半导体衬底表面平整，有效解决由于传统静电隔离结构的不平坦使后续的沉积工艺台阶覆盖能力不佳，特别是光刻出现匀胶不良，曝光异常，台阶处光刻胶偏薄无法有效作为刻蚀阻挡层等问题，通过使得静电隔离结构由分次沉积的第一填充材料层和第二填充材
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 106024701 A
(43)申请公布日
2016.10.12
(21)申请号 20161
文档评论（0）