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深紫外发光二极管的外延片及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-17 发布于四川
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深紫外发光二极管的外延片及其制备方法.pdf

    本公开提供了一种深紫外发光二极管的外延片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该制备方法包括在衬底上依次外延生长第一AlN缓冲层、n型AlGaN层、多量子阱层和p型层，第一AlN缓冲层包括交替层叠的第一AlN层和第二AlN层，在生长第一AlN层时，向反应腔内通入氧气。在生长第一AlN层时向反应腔内通入氧气，使得有一部分氧原子替代AlN中的氮原子，还有一部分氧原子会成为间隙原子，由于氧原子的半径比氮原子的半径大，这两部分氧原子会使AlN的晶格产生一定的畸变，增加AlN的晶格常数，缓解衬底和AlN间

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113284995 A (43)申请公布日 2021.08.20 (21)申请号 202110342498.X (22)申请日 2021.03.30 (71)申请人 华灿光电（浙江）有限公司

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