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一种混合型CMOS-忆阻全加器电路.pdfVIP

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  • 2023-06-17 发布于四川
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一种混合型CMOS-忆阻全加器电路.pdf

    本发明公开了一种混合型CMOS‑忆阻全加器电路，包括第一阈值型忆阻器M1、第二阈值型忆阻器M2、第三阈值型忆阻器M3，第一NMOS晶体管NM1、第二NMOS晶体管NM2、第三NMOS晶体管NM3、第四NMOS晶体管NM4、第五NMOS晶体管NM5、第六NMOS晶体管NM6、第七NMOS晶体管NM7、第八NMOS晶体管NM8，第一PMOS晶体管PM1、第二PMOS晶体管PM2、第三PMOS晶体管PM3、第四PMOS晶体管PM4、第五PMOS晶体管PM5。该电路通过调节忆阻器阻态、CMOS管的导通和

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113285705 B (45)授权公告日 2022.05.17 (21)申请号 202110456022.9 US 9921808 B1,2018.03.20 (22)申请日

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