三维存储器及其制备方法、存储系统、电子设备.pdfVIP

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2023-06-17 发布于四川
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三维存储器及其制备方法、存储系统、电子设备.pdf

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本公开提供了一种三维存储器及其制备方法、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决位于高层的栅线层容易被穿透的问题，提高三维存储器的电性能和良率。三维存储器包括堆叠结构、多个第一停止部、阻隔层、保护层和多个接触柱。堆叠结构包括台阶结构，台阶结构包括多个沿第一方向设置、且沿第二方向具有不同高度的阶梯结构。多个第一停止部位于至少一个阶梯结构的多个台阶上。阻隔层覆盖台阶结构，且位于台阶结构与第一停止部之间。保护层覆盖阻隔层和第一停止部，保护层的至少部分位于阻隔层与第一停止部之间。接触柱与第一

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114664857 A (43)申请公布日 2022.06.24 (21)申请号 202210273515.3 H01L 27/11548 (2017.01)