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一些实施例包含一种形成集成组合件的方法。在导电结构上形成第一堆叠。所述第一堆叠包含第一层与第三层之间的第二层。所述第一层及所述第三层是导电的。形成穿过所述第一堆叠的第一开口。在所述第一开口内形成牺牲材料。在所述第一堆叠上形成第二堆叠。所述第二堆叠具有交替第一层级及第二层级。形成穿过所述第二堆叠及穿过所述牺牲材料的第二开口。在所述第二开口内形成第一半导体材料。形成穿过所述第二堆叠、穿过所述第三层到所述第二层的第三开口。移除所述第二层以形成导管。在所述导管内形成第二半导体材料。使掺杂剂从所述第二半导
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114072910 A
(43)申请公布日 2022.02.18
(21)申请号 202080043935.1 (74)专利代理机构 北京律盟知识产权代理有限
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