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2023-06-17 发布于四川
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半导体器件.pdf

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一种半导体器件包括：在第一基板上的电路元件；栅电极，在第二基板上并堆叠为在第一方向上彼此间隔开；牺牲绝缘层，在穿透第二基板的下贯穿绝缘层上，堆叠为在第一方向上彼此间隔开，并具有与栅电极相对的侧表面；沟道结构，穿透栅电极，在第二基板上垂直地延伸，并包括沟道层；第一分隔图案，穿透栅电极并包括第一阻隔图案和从第一阻隔图案在第二方向上延伸的第一图案部分；以及第二分隔图案，穿透栅电极，设置为平行于第一分隔图案并在第二方向上延伸。牺牲绝缘层的侧表面中的一些可以在第三方向上与第一阻隔图案重叠。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114068574 A (43)申请公布日 2022.02.18 (21)申请号 202110879545.4 (22)申请日 2021.08.02 (30)优先权数据 10-2020-0