存储装置及其制造方法.pdfVIP

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2023-06-17 发布于四川
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存储装置及其制造方法.pdf

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提供一种可靠性高的存储装置。该存储装置通过如下步骤形成：在衬底上形成第一绝缘体；在第一绝缘体上形成第二绝缘体；在第二绝缘体上形成第三绝缘体；形成贯穿第一绝缘体、第二绝缘体以及第三绝缘体的开口；在开口中在第一绝缘体的侧面、第二绝缘体的侧面以及第三绝缘体的侧面的内侧形成第四绝缘体；在第四绝缘体的内侧形成氧化物半导体；去除第二绝缘体；以及在第一绝缘体与第三绝缘体之间形成导电体，并且第四绝缘体通过多次的如下循环形成，该循环包括：对配置有衬底的处理室供应包含硅的气体及氧化性气体的第一步骤；停止对处理室供应

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114830324 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202080085779.5 (74)专利代理机构北京信慧永光知识产权代理