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本发明的实施例提供一种用于填充孔洞或沟槽的薄膜沉积方法，包括：在孔洞或沟槽表面沉积形成成核层；其中，在孔洞或沟槽表面沉积形成成核层的步骤包括：在孔洞或沟槽表面沉积形成子成核层，子成核层的厚度小于成核层的目标厚度；对子成核层的表面进行表面处理；依次重复进行上述步骤，直到叠置的子成核层的厚度达到成核层的目标厚度。本发明实施例将沉积成核层的步骤分多步完成，并且辅以表面等离子体的处理，能够使成核层具有更优秀的保形性，在孔洞或沟槽的开口和底部，厚度均匀一致的成核层将为后续的钨填充提供良好的种子层。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 110875245 A
(43)申请公布日
2020.03.10
(21)申请号 20181
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