半导体存储装置.pdfVIP

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  • 2023-06-17 发布于四川
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提供了一种半导体存储装置。所述装置可以包括:下栅极线,所述下栅极线设置在衬底上并且沿第一方向延伸;上栅极线,所述上栅极线与所述下栅极线垂直交叠并且沿所述第一方向延伸;第一电容器,所述第一电容器设置在所述下栅极线和所述上栅极线之间;第二电容器,所述第二电容器设置在所述下栅极线和所述上栅极线之间并且在所述第一方向上与所述第一电容器间隔开;下半导体图案,所述下半导体图案设置为穿过所述下栅极线并且连接到所述第一电容器;上半导体图案,所述上半导体图案设置为穿过所述上栅极线并且连接到所述第二电容器;以及下绝

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113921523 A (43)申请公布日 2022.01.11 (21)申请号 202110335193.6 (22)申请日 2021.03.29 (30)优先权数据

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