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半导体器件、半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-06-17 发布于四川
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半导体器件、半导体结构及其形成方法.pdf

    提供了半导体器件、半导体结构及其形成方法。在一个实施例中，半导体器件包括第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包括两个第一源极/漏极部件和第一数量的纳米结构，第一数量的纳米结构彼此垂直堆叠并且在两个第一源极/漏极部件之间纵向延伸。第二晶体管包括两个第二源极/漏极部件和第二数量的纳米结构，第二数量的纳米结构彼此垂直堆叠并且在两个第二源极/漏极部件之间纵向延伸。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114551355 A (43)申请公布日 2022.05.27 (21)申请号 202210098495.0 (22)申请日 2022.01.27 (30)优先权数据

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