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2023-06-17 发布于四川
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实施方式提供高品质的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：基板；多个第1导电层及多个第1绝缘层，在与基板的表面交叉的第1方向上交替层叠；第1半导体层，在第1方向上延伸，与多个第1导电层及多个第1绝缘层相对向；第2半导体层，连接于第1半导体层的第1方向上的一端部，在与第1方向交叉的第2方向上延伸；第2绝缘层，覆盖第1半导体层的另一端部的外周面；及第3绝缘层，其在第2方向上的位置与多个第1导电层、多个第1绝缘层及第2绝缘层不同，在第1方向上延伸，在第1方向上的一端处与第2半导体层相接，第1方

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114203722 A (43)申请公布日 2022.03.18 (21)申请号 202110715868.X H01L 27/11575 (2017.01)