功率半导体器件及其制造方法.pdfVIP

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2023-06-17 发布于四川
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功率半导体器件及其制造方法.pdf

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本申请公开了功率半导体器件及其制造方法。所述方法包括：在半导体衬底的第一表面上形成外延层，半导体衬底和外延层均为第一掺杂类型且分别具有第一掺杂浓度和第二掺杂浓度；在外延层上形成栅叠层，栅叠层包括栅介质层和栅极导体，栅介质层夹在栅极导体和外延层之间；在外延层中形成体区，体区为第二掺杂类型；在体区中形成第一掺杂区，第一掺杂区为第一掺杂类型；形成到达第一掺杂区的第一接触；从半导体衬底的第二表面对半导体衬底进行掺杂，以提高掺杂浓度；以及在半导体衬底的第二表面上形成第二接触，其中，第一掺杂浓度是第二掺杂浓

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 107452629 A (43)申请公布日 2017.12.08 (21)申请号 20171