虚设半导体元件的可重复使用方法.pdfVIP

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2023-06-17 发布于四川
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虚设半导体元件的可重复使用方法.pdf

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本发明涉及半导体技术领域，公开了一种虚设半导体元件的可重复使用方法，其包括：将虚设半导体元件放入密闭的腔室中；对所述腔室抽真空；向抽真空后的所述腔室内通入氨气和硅烷，并使所述腔室内的压强达到预设压强值；对所述腔室内加热，使所述腔室内的温度达到预设温度值；待所述虚设半导体元件的外表面形成氮化硅保护膜后，将所述虚设半导体元件从所述腔室内取出。本发明能够让虚设半导体元件可重复使用以降低生产成本。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113284787 A (43)申请公布日 2021.08.20 (21)申请号 20201