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- 2023-06-17 发布于四川
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本发明通过在4H‑SiC中掺入铝原子与IVB族原子，有效地降低了碳化硅晶体中铝的电离能，实现了低阻p型4H‑SiC的制备。本发明利用IVB族原子掺杂后引入一个空的杂质轨道e能级，与Al的3/4占据的e轨道形成有效的库伦排斥，从而降低Al杂质的电离能。IVB族原子的掺杂浓度保证在1017cm‑3以上，铝原子的掺杂浓度在1020cm‑3左右。本发明解决了4H‑SiC中铝原子电离能较高的问题，增加了碳化硅中载流子有效浓度，降低4H‑SiC碳化硅晶体电阻率，对电力电子领域中各类电子器件的制造有重要的意义
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113279065 B
(45)授权公告日 2022.01.11
(21)申请号 202110475998.0 (51)Int.Cl.
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