原创力文档- 2
- 0
- 约3.46万字
- 约 55页
- 2023-06-17 发布于四川
- 举报
一种半导体器件包括：衬底上的存储器堆叠，所述存储器堆叠包括栅电极、绝缘层和模制层，所述模制层在贯通电极区域中被设置在与所述栅电极相同的水平高度处；沟道结构，在单元阵列区域中竖直地延伸穿过所述栅电极；以及挡板结构，在顶视图中被设置在隔离绝缘层之间并且围绕所述贯通电极区域。所述挡板结构包括具有挡板形状的挡板绝缘层、所述挡板绝缘层内部的内部绝缘层、以及所述挡板绝缘层外部的外部绝缘层。所述内部绝缘层包括在水平方向上突出的第一突出部，并且所述外部绝缘层包括在所述水平方向上突出的第二突出部。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114446982 A
(43)申请公布日 2022.05.06
(21)申请号 202110663661.2
(22)申请日 2021.06.15
(30)优先权数据
文档评论（0）