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2023-06-17 发布于四川
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半导体装置.pdf

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一种半导体装置包括：衬底，其包括有源区域；在衬底上并排延伸的第一位线结构和第二位线结构；存储节点接触件，其在第一位线结构与第二位线结构之间电连接到有源区域；下着陆焊盘，其位于第一位线结构与第二位线结构之间并且位于存储节点接触件上；上着陆焊盘，其与第一位线结构接触并且电连接到下着陆焊盘；以及封盖绝缘层。与第一位线结构接触的上着陆焊盘的下表面包括水平分离距离从相邻的封盖绝缘层起在朝向衬底的方向上增大的部分，并且与下着陆焊盘接触的封盖绝缘层的下表面包括水平分离距离从相邻的上着陆焊盘起在朝向衬底的方向上

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114446959 A (43)申请公布日 2022.05.06 (21)申请号 202111208245.X (22)申请日 2021.10.18 (30)优先权数据 10-2020-0145475