源极/漏极区域及其形成方法.pdfVIP

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本公开涉及源极/漏极区域及其形成方法。一种方法包括:蚀刻第一凹部,该第一凹部与第一虚设栅极堆叠和第一鳍相邻;蚀刻第二凹部,该第二凹部与第二虚设栅极堆叠和第二鳍相邻;以及在第一凹部中外延生长第一外延区域。该方法还包括:在第一虚设栅极堆叠之上、第二虚设栅极堆叠之上、第一凹部中的第一外延区域之上、以及第二凹部中沉积第一含金属掩模;图案化第一含金属掩模以暴露第一虚设栅极堆叠和第一外延区域;在第一凹部中,在第一外延区域之上外延生长第二外延区域;以及在外延生长第二外延区域之后,去除第一含金属掩模的剩余部分。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114628331 A (43)申请公布日 2022.06.14 (21)申请号 202110660224.5 (22)申请日 2021.06.15 (30)优先权数据 63/145,605 2021

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