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本公开提出一种半导体装置结构。半导体装置结构包含多个半导体层及与半导体层接触的第一源极/漏极外延部件。第一源极/漏极外延部件包含底部，底部具有实质上直的侧壁。半导体装置结构还包含间隔物，间隔物具有栅极间隔物部分及一或多个源极/漏极间隔物部分。每个源极/漏极间隔物部分具有第一高度，而一或多个源极/漏极间隔物部分中的一个与第一源极/漏极外延部件的实质上直的侧壁中的一个接触。半导体装置结构还包含介电部件，介电部件与一或多个源极/漏极间隔物部分中的一个相邻设置。介电部件具有第二高度，第二高度实质上大于第
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114823529 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202210237922.9
(22)申请日 2022.03.11
(30)优先权数据
17/199,427 2021
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