三维存储器及其制备方法、存储系统.pdfVIP

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2023-06-17 发布于四川
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三维存储器及其制备方法、存储系统.pdf

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本公开提供一种三维存储器及其制备方法、存储系统，涉及半导体芯片技术领域，旨在提高三维存储器的良率和可靠性，以及降低制作难度。三维存储器包括基底和存储堆叠结构。存储堆叠结构具有沿第一方向排列的两个存储区，以及位于两个存储区之间的台阶区。存储堆叠结构包括位于台阶区的多个阶梯结构和多个墙结构。多个阶梯结构沿第一方向依次排列，且多个阶梯结构的高度沿第一方向先降低后升高。多个墙结构沿第一方向依次间隔排列；相邻的两个墙结构之间间隔至少一个阶梯结构，在至少一个墙结构沿第一方向的至少一侧限定出通槽。该三维存储器

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114141785 A (43)申请公布日 2022.03.04 (21)申请号 202111446325.9 (22)申请日 2021.11.30 (71)申请人长江存储科技有限责任公司