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提供半导体装置的形成方法。两步骤蚀刻技术用于氧化物界定边缘上连续多晶硅(CPODE)凹蚀制程，以形成其中要形成CPODE结构的凹槽。两步骤制程包含使用等向性蚀刻技术进行第一蚀刻操作，其中虚设栅极结构中的凹槽形成至第一深度。使用非等向性蚀刻技术进行第二蚀刻操作以将凹槽形成至第二深度。使用非等向性蚀刻技术造成第二蚀刻操作中虚设栅极结构的高度定向(例如垂直)蚀刻。在虚设栅极结构的底部或其附近由非等向性蚀刻技术提供的高度定向蚀刻减少、最小化及/或防止蚀刻到层间介电(ILD)层的相邻部分及/或在层间介电层
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116264188 A
(43)申请公布日 2023.06.16
(21)申请号 202310082891.9
(22)申请日 2023.02.07
(30)优先权数据
17/650,553 2022
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