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公开了半导体装置。所述半导体装置可以包括设置在基底上的有源图案和在有源图案上的源极/漏极图案。源极/漏极图案可以包括与有源图案的顶表面接触的底表面。半导体装置还可以包括连接到源极/漏极图案的沟道图案、延伸以越过沟道图案的栅电极以及从有源图案的侧表面延伸到源极/漏极图案的下侧表面的围栏绝缘层。一对中间绝缘图案可以在源极/漏极图案的底表面的两侧处且在有源图案与源极/漏极图案之间与围栏绝缘层的内侧表面接触。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114664813 A
(43)申请公布日 2022.06.24
(21)申请号 202111150121.0
(22)申请日 2021.09.29
(30)优先权数据
10-2020-0181225
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