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提供了半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括:基底,具有第一有源图案,第一有源图案包括第一源极/漏极区和第二源极/漏极区;栅电极,与第一有源图案相交并且设置在第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间;位线,与第一有源图案相交并且电连接到第一源极/漏极区;间隔件,设置在位线的侧壁上;接触件,电连接到第二源极/漏极区并且与位线间隔开,间隔件置于接触件与位线之间;界面层,设置在第二源极/漏极区与接触件之间,并且在第二源极/漏极区与接触件之间形成欧姆接触;以及数据存储元件,设置在接触件上。接触件的底部
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114068550 A
(43)申请公布日 2022.02.18
(21)申请号 202110638451.8
(22)申请日 2021.06.08
(30)优先权数据
10-2020-0
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