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- 2023-06-17 发布于四川
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本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，以降低存储单元之间的相互干扰，提高器件性能。半导体结构包括堆叠层、以及贯穿堆叠层的第一隔离结构、第二隔离结构和沟道结构。堆叠层包括交替叠置的多个第一介质层和多个栅线层。第一隔离结构沿第一方向延伸，以将栅线层划分为多条栅线。第二隔离结构沿第一方向延伸，以将栅线分隔为至少两条子栅线；第二隔离结构的介电常数小于第一介质层的介电常数。至少部分沟道结构位于第二隔离结构所在的直线上，且第二隔离结构的两侧的子栅线分别与
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114420698 A
(43)申请公布日 2022.04.29
(21)申请号 202111584084.4
(22)申请日 2021.12.22
(71)申请人 长江
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