一种低G灵敏度抗振晶振的自减振晶片结构及其加工工艺.pdfVIP

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2023-06-17 发布于四川
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一种低G灵敏度抗振晶振的自减振晶片结构及其加工工艺.pdf

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本发明提供一种低G灵敏度抗振晶振的自减振晶片结构及其加工工艺，包括晶片，所述晶片包括支撑区、中心谐振区和减震区，所述中心谐振区位于所述支撑区的中部，所述中心谐振区的上下两端均设置有谐振电极；所述减震区与所述中心谐振区和所述支撑区相连接，所述支撑区、所述中心谐振区和所述减震区为一体式结构。通过将晶片分成能够提供谐振功能的中心谐振区、提供减震功能的减震区和提供支撑与装配功能的支撑区，使晶片具备了抗震功能，无需额外增加减震元件或结构等，不会增加抗振晶振的尺寸，同时能够降低晶振对于外部加速度的高灵敏度，

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116264448 A (43)申请公布日 2023.06.16 (21)申请号 202111539742.8 (22)申请日 2021.12.15 (71)申请人北京晨晶电子有限公司地址 10