原创力文档- 3
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- 2023-06-17 发布于四川
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本发明为克服多芯光纤各信道的传输容量低、无法满足偏上集成的缺陷，提出一种用于耦合多芯光纤与集成光芯片的光耦合器件及其制备方法，其中包括由若干垂直光耦合器交错排布设置的光耦合器阵列，所述垂直光耦合器包括外延耦合波导结构、三维波导结构、反射镜，其中，所述三维波导结构的一端通过所述外延耦合波导结构与集成光芯片的波导结构耦合连接，所述三维波导结构的另一端与所述反射镜连接；所述反射镜的光模场出射面与多芯光纤的纤芯在同一垂直平面上。本发明中利用三维激光直写技术在集成光芯片上制造光耦合器阵列，使得集成光芯片中
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113267847 A
(43)申请公布日 2021.08.17
(21)申请号 202110622389.3
(22)申请日 2021.06.03
(71)申请人 中山大学
地址 51
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