具有介电壁支撑结构的三维存储器器件及其形成方法.pdfVIP

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2023-06-17 发布于四川
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具有介电壁支撑结构的三维存储器器件及其形成方法.pdf

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一种三维存储器器件包括位于线沟槽之间的绝缘层和导电层的交替堆叠、第一存储器阵列区域和第二存储器阵列区域，以及位于所述第一线沟槽和所述第二线沟槽之间以及所述存储器阵列区域之间的一对介电壁结构。所述交替堆叠内的每个层在连接区域中的所述第一存储器阵列区域和所述第二存储器阵列区域之间连续延伸。所述交替堆叠的所述导电层在阶梯区域中具有随着距所述衬底的距离而减小的横向范围。在所述介电壁结构之间提供与绝缘板或绝缘层交错的介电材料板。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114730765 A (43)申请公布日 2022.07.08 (21)申请号 202180006701.4 (74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理