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碳化硅半导体装置.pdfVIP

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  • 2023-06-17 发布于四川
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碳化硅半导体装置.pdf

    碳化硅半导体装置具有碳化硅基板，所述碳化硅基板具有第一主面和与所述第一主面相对的第二主面。在所述第一主面设置有栅极沟槽，所述栅极沟槽由贯通源区和体区而到达漂移区的侧面和与所述侧面相连的底面限定，并且在平行于所述第一主面的第一方向上延伸。所述碳化硅基板还具有：电场弛豫区，所述电场弛豫区设置在所述底面与所述第二主面之间，在所述第一方向上延伸，并且具有所述第二导电型；和连接区，所述连接区将接触区与所述电场弛豫区电连接，并且具有所述第二导电型，在从垂直于所述第一主面的方向俯视时，所述栅极沟槽和所述电场弛

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114503283 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202080070654.5 (74)专利代理机构 中原信达知识产权代理有限

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