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本发明公开了一种集成无源器件的半导体装置，包括：衬底；至少一个集成无源装置，其包括形成于衬底表面的电阻、电容或电感中的一种或多个；重布线层，其在衬底设置至少一个集成无源装置的表面设置；其中，重布线层包括至少一层金属层以形成层绕制电感。本发明通过将现有的半导体集成无源器件工艺与封装RDL(重布线层)工艺相结合，突破了集成电路成熟工艺厚金属层有限，且金属厚度有限的限制，与RDL工艺的结合增加1‑3层的可布线金属层并且金属厚度可较厚，形成了更为丰富的叠层结构，从而实现层绕制电感及连接布线功能，提升了无
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113257842 A
(43)申请公布日 2021.08.13
(21)申请号 202110511063.3 H01L 21/60 (2006.01)
(22)申请日 2
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