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本发明属于银纳米线制备技术领域，具体涉及一种碳包银纳米线。所述碳包银纳米线包括位于芯层的银纳米线和包覆在所述芯层表面的纳米碳层；所述银纳米线的直径为10‑2000nm，长度为1‑100μm；所述纳米碳层的厚度为1‑10nm。本发明的碳包银纳米线，通过在银纳米线表面包覆纳米碳层，能够很好地防止纳米银的氧化和银迁移效应的发生，提高了银纳米线的稳定性，保证了相关银纳米线器件的可靠性；并且，本发明的碳包银纳米线形状均匀，包覆稳定，具有良好的应用价值。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114147210 A
(43)申请公布日 2022.03.08
(21)申请号 202111459460.7 B82Y 40/00 (2011.01)
(22)申请日 2
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