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本发明公开了一种具有电子控制栅极区和肖特基阳极的横向绝缘栅双极型晶体管及其制作方法。该器件改变了传统LIGBT器件的多晶硅栅极区和漂移区的设计方法，实现了电子注入能力的增强，保持了较高的击穿电压，大大缩短了电导调制区。本发明的LIGBT器件在结构上使用轻掺杂的P型衬底区取代了常规的N型漂移区，削弱了漂移区长度和掺杂浓度对于器件耐压的限制。同时，电子控制栅极区提供了电子从阴极区到阳极区的主要流动路径，实现了极低的正向压降和较高的饱和电流。此外，肖特基阳极保证了通态时的空穴注入和关态时的过剩电子抽取
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113270476 A
(43)申请公布日 2021.08.17
(21)申请号 202110379094.8
(22)申请日 2021.04.08
(71)申请人 西安电子科技大学
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