原创力文档- 7
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- 2023-06-17 发布于四川
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一种新型硅基电光调制器及其制备工艺，涉及电光调制器领域。制备工艺包括在基底蚀刻形成硅波导区和slab区，硅波导区的两侧均设置有slab区，两侧的slab区均与硅波导区相连；对slab区进行氧原子注入并退火。这使新型硅基电光调制器通过在硅结构中引入梯度应力而打破了中心反演对称结构对硅基电光调制器的功能限制，大大提高了硅基调制器的调制效率，有效减小了器件的尺寸、提高了带宽、降低了插损。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113281919 A
(43)申请公布日 2021.08.20
(21)申请号 202110494450.0
(22)申请日 2021.05.07
(71)申请人 三明学院
地址 36
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