原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
一种用于形成存储器阵列的方法包括形成包括垂直交替第一层面及第二层面的堆叠。第一绝缘体层面在所述堆叠上方。所述第一绝缘体层面的第一绝缘体材料包括(a)及(b)中的至少一者，其中(a)：硅、氮以及碳、氧、硼及磷中的一或多者，且(b)：碳化硅。沟道材料串在所述堆叠中且在所述第一绝缘体层面中。导电材料在所述第一绝缘体层面中直接抵靠所述沟道材料串中的个别者的侧。第二绝缘体层面形成于所述第一绝缘体层面及所述导电材料上方。所述第二绝缘体层面的第二绝缘体材料包括所述(a)及所述(b)中的至少一者。导电通孔经形成
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114521291 A
(43)申请公布日 2022.05.20
(21)申请号 202080067615.X L ·E ·维博沃
(22)申请日 2020.09.16
文档评论（0）