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本申请案涉及用于垂直三维(3D)存储器的单晶水平存取装置。一种垂直堆叠的存储器单元阵列具有水平定向的存取装置，所述水平定向的存取装置具有通过沟道区分离的第一源极/漏极区及第二源极/漏极区及与所述沟道区对置的栅极，所述垂直定向的存取线耦合到所述栅极且通过栅极电介质与沟道区分离。所述存储器单元具有外延生长单晶硅以填充第一水平开口且收容与导电材料电接触的第一源极/漏极且形成整体水平定向的导电数字线的部分。所述存储器单元还具有耦合到所述第二源极/漏极区的水平定向的存储节点及耦合到所述第一源极/漏极区的水
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114334836 A
(43)申请公布日 2022.04.12
(21)申请号 202111112907.3
(22)申请日 2021.09.23
(30)优先权数据
17/035,85
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