三维存储器及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-17 发布于四川
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三维存储器及其制备方法.pdf

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本发明提供一种三维存储器及其制备方法。三维存储器包括：堆叠的源极层和堆叠结构以及第一半导体层，所述第一半导体层包括第一部分以及与所述第一部分连接的第二部分，所述堆叠结构包括交替堆叠的栅极层和层间绝缘层；沟道结构，所述沟道结构穿过所述堆叠结构并延伸至所述源极层；所述第一部分位于所述源极层与所述堆叠结构之间，且与所述沟道结构的沟道层连接，所述第二部分设于所述源极层背离所述堆叠结构的一侧，以及贯穿在所述源极层内。本申请的三维存储器的电性能较好。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114361172 A (43)申请公布日 2022.04.15 (21)申请号 202111646843.5 (22)申请日 2021.12.29 (71)申请人长江存储科技有限责任公司