1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

半导体结构及其制备方法、三维存储器.pdfVIP

  • 4
  • 0
  • 约3.87万字
  • 约 54页
  • 2023-06-17 发布于四川
  • 举报

半导体结构及其制备方法、三维存储器.pdf

    本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决如何在堆叠结构上制备接触孔的问题。所述制备方法包括：在衬底上形成第一初始堆叠结构，第一初始堆叠结构包括层叠设置的多个膜层对。在第一初始堆叠结构远离衬底的一侧形成第二堆叠结构，第二堆叠结构包括位于阵列区和连接区的选择栅线层。至少将栅极牺牲层中位于阵列区的部分替换成栅极层。形成贯穿第二堆叠结构的开口，开口位于连接区。基于具有开口的第二堆叠结构，刻蚀第一堆叠结构，形成接触孔。在开口和接触孔中形成接触

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114551344 A (43)申请公布日 2022.05.27 (21)申请号 202210162909.1 H01L 27/11582 (2017.01) (22)申请日 2022.

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >