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- 2023-06-17 发布于四川
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一种形成半导体器件的方法包括形成导电部件和第一穿通停止层，其中导电部件具有第一顶面，并且第一穿通停止层具有与第一顶面基本水平的第二顶面。该方法还包括在第一穿通停止层上形成电阻元件。该方法还包括蚀刻通过电阻元件的第一部分以形成第一沟槽，该沟槽同时暴露第一穿通停止层的第二顶面和电阻元件的第一侧壁表面。该方法还包括在第一沟槽内形成第一导电通孔，其中第一导电通孔与电阻元件的第一侧壁表面接触。本申请的实施例提供了半导体器件及其制造方法。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113284847 A
(43)申请公布日 2021.08.20
(21)申请号 202110191604.9 H01L 23/538 (2006.01)
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