半导体元件及其制备方法.pdfVIP

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本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一基底、一电容接触点结构以及一着陆垫层。该电容接触点结构从该基底突伸。该着陆垫层覆盖该电容接触点结构的一上表面的一部分以及该电容接触点结构的一侧壁的一上部。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114373733 A (43)申请公布日 2022.04.19 (21)申请号 202110935615.3 (22)申请日 2021.08.16 (30)优先权数据 17/071,44

知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来，知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作，经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

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