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本申请提供一种晶圆结构的形成方法，所述方法包括：提供包括底部晶圆和载体晶圆的键合结构，其中，所述底部晶圆和所述载体晶圆中间依次包括底部介质层和载体介质层，所述底部晶圆和所述载体晶圆通过所述底部介质层和所述载体介质层键合；将所述载体晶圆减薄至特定厚度，减薄后的所述载体晶圆不同位置厚度分布不均；在所述载体晶圆中注入改性离子，使所述载体晶圆与所述载体介质层相对于第一刻蚀剂产生刻蚀速率的突变；采用所述第一刻蚀剂去除所述载体晶圆。本申请所述的一种晶圆结构的形成方法，通过注入改性离子，使想要去除的部分晶圆和
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116264156 A
(43)申请公布日 2023.06.16
(21)申请号 202111533016.5 (51)Int.Cl .
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