半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置.pdfVIP

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2023-06-17 发布于四川
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半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置.pdf

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本公开涉及半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置，提高包括氧化物半导体的晶体管的可靠性。半导体装置中的晶体管包括第一绝缘膜上的第一氧化物半导体膜、第一氧化物半导体膜上的栅极绝缘膜、栅极绝缘膜上的第二氧化物半导体膜、第一氧化物半导体膜及第二氧化物半导体膜上的第二绝缘膜，第一氧化物半导体膜具有与第二氧化物半导体膜重叠的沟道区域、与第二绝缘膜接触的源区域及漏区域，沟道区域包括第一层以及与第一层的顶面接触并覆盖第一层在沟道宽度方向上的侧面的第二层，第二氧化物半导体膜的载流子密度比第一氧化物半导体膜高。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113990756 A (43)申请公布日 2022.01.28 (21)申请号 202111244655.X H01L 29/423 (2006.01)