半导体存储装置的动作条件的调整方法.pdfVIP

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2023-06-17 发布于四川
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半导体存储装置的动作条件的调整方法.pdf

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实施方式提供一种能够实现高速动作的半导体存储装置的动作条件的调整方法。实施方式的半导体存储装置的动作条件的调整方法与半导体存储装置相关，所述半导体存储装置具备：衬底；多个第1导电层，排列在与衬底的表面交叉的方向；多个第1半导体层，与多个第1导电层对向；第2半导体层，连接在多个第1半导体层的一端部；及电荷累积层，设置在多个第1导电层与多个第1半导体层之间。在编程动作的特定时序，对作为多个第1导电层中的一个的第2导电层供给编程电压或写入路径电压。在所述调整方法中执行第1动作及第2动作，所述第1动作是

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114078520 A (43)申请公布日 2022.02.22 (21)申请号 202110172256.0 H01L 27/11582 (2017.01) (22)申请日