具有被穿孔介电壕沟结构包围的通孔结构的三维存储器器件及其制造方法.pdfVIP

下载本文档

0
0
约10.54万字
约 137页
2023-06-17 发布于四川
举报
版权申诉

具有被穿孔介电壕沟结构包围的通孔结构的三维存储器器件及其制造方法.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

一种三维存储器器件包括位于衬底上方的绝缘层和导电层的交替堆叠、竖直地延伸穿过该交替堆叠的存储器堆叠结构、竖直地延伸穿过该交替堆叠的穿孔介电壕沟结构和被该穿孔介电壕沟结构横向包围且竖直地延伸穿过该交替堆叠内的每个绝缘层的互连通孔结构。该存储器堆叠结构中的每个存储器堆叠结构包括竖直半导体沟道和位于该导电层的层级处的存储器元件的竖直堆叠。该穿孔介电壕沟结构包括在该绝缘层的每个层级处的多个横向开口并且不包括在该导电层的层级处的任何开口。互连通孔结构可被该穿孔介电壕沟结构横向包围并且可竖直地延伸穿过该交替

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114730736 A (43)申请公布日 2022.07.08 (21)申请号 202080081622.5 (74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理