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本发明提供一种半导体器件的制备方法、半导体器件及存储装置，本发明提供的半导体器件的制备方法，包括：提供衬底，衬底包括预设的第一区域和第二区域；对第二区域进行氮离子掺杂；在第一区域和第二区域上分别形成第一栅氧化层和第二栅氧化层；以及，形成第一电极与第二电极分别于第一栅氧化层与第二栅氧化层上，从而能够制备具有不同栅氧化层的半导体器件，同时还能解决半导体器件中栅氧化层变薄时单位面积电容降低的问题。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113257739 A
(43)申请公布日 2021.08.13
(21)申请号 202110475452.5 H01L 27/1157 (2017.01)
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