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- 2023-06-17 发布于四川
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本发明适用于硅通孔工艺技术领域，提供了一种3D打印系统及应用其打印三维集成电路连接层的方法。本发明将3D打印技术应用于三维集成电路连接层的成型，其中，通过输入晶圆铜柱的坐标，可在打印过程中避开铜柱区域，完成连接层的打印。相对于现有的NCF工艺，提高了材料利用率，降低了材料成本；并且避开了NCF工艺的技术封锁，使得此技术可以应用于大规模量产。并且，在集成电路后续的焊接工艺中，可以采用回流焊代替NCF工艺中的热压焊，热压焊工艺需要单颗高温焊接，用时较长，而回流焊可以多条基板一起烘烤，焊接效率高。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113263724 A
(43)申请公布日 2021.08.17
(21)申请号 202110617723.6 H01L 23/00 (2006.01)
(22)申请日 2
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