存储器件及其形成方法.pdfVIP

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2023-06-17 发布于四川
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存储器件及其形成方法.pdf

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一种用于形成存储器件的方法包括提供初始半导体结构，该初始半导体结构包括：基础衬底；形成于基础衬底上的第一牺牲层；设置在第一牺牲层上的堆叠结构；穿过堆叠结构和第一牺牲层形成的多个沟道；以及穿过堆叠结构形成并且暴露第一牺牲层的栅极线沟槽。该方法还包括：在栅极线沟槽的侧壁上形成至少一个保护层；使用至少一个保护层作为蚀刻掩模来去除第一牺牲层，以暴露多个沟道中的每者的部分和基础衬底的表面；以及在基础衬底和多个沟道的所暴露的表面上形成外延层。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114078880 A (43)申请公布日 2022.02.22 (21)申请号 202111243260.8 (22)申请日 2020.02.26 (62)分案原申请数