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- 2023-06-19 发布于四川
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本发明公开了一种石墨盘及其制备方法和应用,涉及低压MOCVD(石墨盘)外延生长领域,尤其涉及一种减少预反应的新方法。本发明所述石墨盘的表层有一层改性薄膜,所述改性薄膜热辐射系数低于0.2W/(kg·K)。本发明通过对石墨盘进行改性,降低了预反应区所在区域的气体温度,从而达到减缓预反应发生的效果。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113277883 A
(43)申请公布日 2021.08.20
(21)申请号 202110578410.4
(22)申请日 2021.05.26
(71)申请人 中山德华芯片技术有限公司
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